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筆記本ddr4的內(nèi)存條,筆記本ddr4內(nèi)存條什么牌子好

全新筆記本ddr4三星內(nèi)存條能出多少能出三百,三星原廠,全新正品,穩(wěn)定兼容。采用三星原廠DRAM芯片,DDR4模塊,3200MHz頻率,1.2V工作電壓,8GB容量,3年質(zhì)保。三星內(nèi)存條,采用三星顆粒,適合

全新筆記本ddr4三星內(nèi)存條能出多少

能出三百,三星原廠,全新正品,穩(wěn)定兼容。采用三星原廠DRAM芯片,DDR4模塊,3200MHz頻率,1.2V工作電壓,8GB容量,3年質(zhì)保。三星內(nèi)存條,采用三星顆粒,適合筆記本升級(jí)選用。

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DDR3內(nèi)存條和DDR4有什么不一樣,還有DDR3L什么意思

一、DDR3內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條不一樣的方面:

1、規(guī)格不同:

DDR3內(nèi)存條:起始頻率有800MHz,最高頻率可達(dá)2133MHz。

DDR4內(nèi)存條:起始頻率有2133MHz,最高頻率可達(dá)3000MHz。

3、內(nèi)存容量不同:

DDR3內(nèi)存條:最大單條可達(dá)64GB的容量。

DDR4內(nèi)存條:最大單條容量為128GB。

4、功耗不同:

DDR3內(nèi)存條:工作電壓為1.5V,耗電較多,而且內(nèi)存條容易發(fā)熱降頻,影響性能。

DDR4內(nèi)存條:工作電壓多為1.2V甚至更低,更少的用電量和更小的發(fā)熱,提升了內(nèi)存條的穩(wěn)定性。

二、DDR3L的意思:

這里的DDR3后面的字母“L”,代表的是LowVoltage的縮寫(xiě)。DDR3L全稱(chēng)是DDR3LowVoltage,就是DDR3低電壓版,其工作電壓相比普通標(biāo)準(zhǔn)版的DDR3內(nèi)存更低一些,功耗更低,但性能也略微更低一些。

DDR3L低電壓內(nèi)存條一般主要用在筆記本、服務(wù)器等設(shè)備上,普通臺(tái)式電腦很少使用這種低電壓內(nèi)存條。

擴(kuò)展資料:

選擇DDR3和DDR4內(nèi)存條需要注意的事項(xiàng):

1、選擇內(nèi)存條前,首先查看電腦主板是否支持DDR3或DDR4內(nèi)存條,有沒(méi)有相應(yīng)的DDR3和DDR4內(nèi)存條插槽。

2、內(nèi)存容量和頻率的選擇,目前DDR4內(nèi)存的容量有4G、8G的,DDR4內(nèi)存的頻率有2133MHZ、2400MHZ、2666MHZ、2800MHZ等。根據(jù)電腦所支持的配置進(jìn)行選擇。

3、DDR3和DDR4互不兼容,無(wú)法一同使用。

ddr4筆記本內(nèi)存最大32g

筆記本最大支持內(nèi)存為32G的話,

就是說(shuō)有倆插槽(一般筆記本插槽多的話就是2個(gè)),每個(gè)插槽最大支持16G的內(nèi)存條。

宏想ddr4內(nèi)存條怎么樣

1、以DDR4內(nèi)存為例,是有兼容識(shí)別的情況,兼容很高效,用久了會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存變小的問(wèn)題。宏想兼容舊式AMD平臺(tái)例如AM3。從維修電腦的角度來(lái)說(shuō),該品牌是比較實(shí)用。因?yàn)椴⒎峭淮鷥?nèi)存能插上就可以用的。

2、AMD老平臺(tái)和新平臺(tái)還有目前的英特爾平臺(tái)是各自有不同的內(nèi)存支持標(biāo)準(zhǔn)。舊式AMD平臺(tái),例如AM2AM3那些主板有不少是不兼容目前生產(chǎn)的金士頓內(nèi)存條的。

3、金士頓等目前的內(nèi)存產(chǎn)品又兼容AMD的APU平臺(tái)以及最新的平臺(tái)。學(xué)知識(shí)不能一知半解,要學(xué)得深入,學(xué)得透徹,充分仔細(xì)了解每一個(gè)細(xì)節(jié),尤其是對(duì)電腦維修來(lái)說(shuō)。

內(nèi)存條是CPU可通過(guò)總線尋址,并進(jìn)行讀寫(xiě)操作的電腦部件。內(nèi)存條在個(gè)人電腦歷史上曾經(jīng)是主內(nèi)存的擴(kuò)展。隨著電腦軟、硬件技術(shù)不斷更新的要求,內(nèi)存條已成為讀寫(xiě)內(nèi)存的整體。

內(nèi)存條是電腦必不可少的組成部分,CPU可通過(guò)數(shù)據(jù)總線對(duì)內(nèi)存尋址。歷史上的電腦主板上有主內(nèi)存,內(nèi)存條是主內(nèi)存的擴(kuò)展。以后的電腦主板上沒(méi)有主內(nèi)存,CPU完全依賴(lài)內(nèi)存條。所有外存上的內(nèi)容必須通過(guò)內(nèi)存才能發(fā)揮作用。

內(nèi)存條分為DRAM和ROM兩種,前者叫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失;后者叫只讀存儲(chǔ)器,斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。

本文分類(lèi):科技

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發(fā)布日期:2023-05-02 11:15:09

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